07.11.2014 Elektronische Oberflächeneigenschaften von Gruppe III-Nitridoberflächen und deren Beeinflussung durch Adsorption und Funktionalisierung

Prof. Dr. Stefan Krischok, Institut für Physik und Institut für Mikro- und Nanotechnologien, Technische Universität Ilmenau

Zeit: Freitag, 14.11.2014, 9:00 Uhr
Ort: WZMW, Hans-Meerwein-Str. 6 (Lahnberge), Seminarraum 02D36

Abstract

Die Grundlage halbleiterbasierter Sensorkonzepte ist die Beeinflussung der Ladungsträger im Material und sich daraus ableitender physikalischer Größen durch Wechselwirkung mit Ionen, Atomen und Molekülen in gasförmiger oder flüssiger Umgebung. Am Beispiel von polaren und nichtpolaren Gruppe III Nitridoberflächen wird gezeigt, welche Einflüsse freie Bindungen und Oberflächenzustände sowie Adsorbate und angekoppelte Moleküle auf die elektronische Struktur (Elektronenzustände, Bandverbiegung, Oberflächendipole und Austrittsarbeit) und die Elektronenkonzentration der Oberfläche haben. Durch Modellexperimente zur Bestimmung und Beeinflussung dieser Größen lassen sich wichtige Erkenntnisse über elektrische Kenngrößen ableiten und gleichzeitig die Reaktionsmechanismen untersuchen. Die zugrundeliegenden Zusammenhänge lassen sich auf technologisch relevante Prozesse der Halbleiterprozessierung, wie z. B. Plasmamodifikation der Oberfläche übertragen. Die Veränderung und Steuerbarkeit der Oberflächeneigenschaften von InN und GaN wird anhand von Beispielen aufgezeigt und diskutiert.