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Molecular beam epitaxy growth of InAsSbBi on GaSb for mid infrared applications
Dr. Shane Johnson, Arizona State University, Phoenix/AZ, USA
Veranstaltungsdaten
19. Juli 2019 14:15
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Fachbereich Physik, Renthof 5, kl. Hörsaal
Veranstalter
GRK 1782
Kontakt
Prof. Dr. Stephan W. Koch